Depth profiling a III–V multilayered structure with an excimer laser

Abstract A multilayered structure of GaAs and AlGaAs was depth profiled using the technique of digital etching. A single excimer laser (KrF) was used to control the etch rate and to identify each layer by monitoring the Ga ions generated during the desorption process. The Ga ions were the only ions ... Ausführliche Beschreibung

1. Person: Bourne, O. L.
Weitere Personen: Hart, D'Arcy; Rayner, D. M.; Hackett, P. A.
Quelle: in Applied physics Vol. 59 (1994), p. 295-297
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Format: Online-Artikel
Genre: 81.60, 82.65, 82.80
Sprache: English
Veröffentlicht: 1994
Beschreibung: Online-Ressource
Online Zugang: Online
Volltext
Tags: Hinzufügen
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Anmerkung: Copyright: Copyright 1994 Springer-Verlag

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