RBS analysis of GaAs and InP after electron beam annealing

The decomposition of GaAs and InP surfaces during scanned electron-beam rapid thermal annealing (RTA) has been investigated. The molecules evaporated from the uncapped surfaces during annealing were collected on Si substrates and analysed using 2.0 and 3.5 MeV ^4He Rutherford backscattering (RBS). T... Ausführliche Beschreibung

1. Person: Roland, G.
Weitere Personen: Baumann, H.; Bethge, K.
Quelle: in Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B Vol. 50, No. 1-4 (1990), p. 145-149
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Format: Online-Artikel
Sprache: English
Veröffentlicht: 1990
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