Preparation and semiconducting properties of Th"3As"4

The resistivity, thermoelectric power and Hall constant in the temperature range of 78-830 K were determined for polycrystalline Th"3As"4 samples obtained by annealing thin thorium slabs in arsenic vapour. The samples examined were n-type semiconductors with a carrier concentration ranging from 1.0 ... Ausführliche Beschreibung

1. Person: Henkie, Z.
Weitere Personen: Markowski, P.
Quelle: in Journal of Physics and Chemistry of Solids Vol. 39, No. 1 (1978), p. 39-43
Weitere Artikel
Format: Online-Artikel
Sprache: English
Veröffentlicht: 1978
Beschreibung: Online-Ressource
Online Zugang: Online
Volltext
Tags: Hinzufügen
Keine Tags. Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Anmerkung: Copyright: Copyright (c) 2002 Elsevier Science Ltd

Online

Online
Falls Sie Probleme beim Volltextzugriff haben, prüfen Sie bitte auch den 'Find Text'-Button oder fragen Sie uns!

Ähnliche Einträge

Keine ähnlichen Titel gefunden

Privacy Notice Ask a Librarian New Acquisitions