Examination of pressure effect on the electronic structure of p-type Th"3As"4 by compensation point method

Effects of pressure up to 1.3 GPa on the thermopower sign inversion temperature (TSIT) and on the electrical resistivity of p-type Th"3As"4 have been examined. It is found that both the forbidden gap, E"g, as well as an activation energy of acceptors, E"a, decrease linearly with pressure: Eg/p = - 1... Ausführliche Beschreibung

1. Person: Henkie, Z.
Weitere Personen: Maslanka, R.; Markowski, P.J.; Wierzbicki, J.
Quelle: in Solid State Communications Vol. 59, No. 9 (1986), p. 625-628
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Format: Online-Artikel
Sprache: English
Veröffentlicht: 1986
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