Pressure-induced phase transition in GaAs under shock compression

Shock compression experiments for GaAs are performed up to about 400 kbar. Hugoniot data are obtained both by the argon flash gap technique and by the inclined mirror technique. Inclined mirror experiments reveal the three-wave structure, yielding the Hugoniot elastic limit (HEL) and apparent phase ... Ausführliche Beschreibung

1. Person: Goto, T.
Weitere Personen: Syono, Y.; Nakai, J.; Nakagawa, Y.
Quelle: in Solid State Communications Vol. 18, No. 11-12 (1976), p. 1607-1609
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Format: Online-Artikel
Sprache: English
Veröffentlicht: 1976
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