Improvements on the Interfacial Properties of High-k/Ge MIS Structures by Inserting a La2O3 Passivation Layer

In this paper, the impact of La2O3 passivation layers on the interfacial properties of Ge-based metal-insulator-semiconductor (MIS) structures was investigated. It was proven that the formation of a thermodynamically stable LaGeOx component by incorporating a La2O3 interlayer could effectively suppr... Ausführliche Beschreibung

1. Person: Lu Zhao verfasserin
Weitere Personen: Hongxia Liu verfasserin; Xing Wang verfasserin; Yongte Wang verfasserin; Shulong Wang verfasserin
Quelle: In Materials (01.11.2018)
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Format: Online-Artikel
Sprache: English
Veröffentlicht: 2018
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