Fabrication of Metal/Ferro-Electric/Semiconductor (Au/Bi4Ti3O12/n-Si) Devices and Temperature Dependent Examination of Their Complex Dielectric and Electric Modulus at 1 MHz

Metal-semiconductor (MS) devices, which have ferroelectric (Bi4Ti3O12) interfacial layers, were fabricated and their complex dielectric and electric modules have been studied in a wide range of temperature (80-320 K) at 1 MHz. Our results revealed that these parameters and electrical conductivity we... Ausführliche Beschreibung

1. Person: Perihan Durmuş verfasserin
Quelle: In Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi (01.06.2018)
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Format: Online-Artikel
Sprache: Turkish
Veröffentlicht: 2018
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